TSMC, Tcha­jwan­ská spo­leč­nost pro vý­ro­bu po­lo­vo­di­čů, oce­ni­la Ansys čtyř­mi oce­ně­ní­mi TSMC Open In­no­vati­on Plat­form (OIP) Part­ner roku 2023. Oce­ně­ní OIP Part­ner of the Year je udě­lo­vá­no part­ne­rům eko­sys­té­mu TSMC Open In­no­vati­on Plat­form za je­jich snahu o do­sa­že­ní vy­ni­ka­jí­cích vý­sled­ků v ob­las­ti umož­ně­ní ná­vr­hu nové ge­ne­ra­ce v uply­nu­lém roce. Ansys a další part­ne­ři eko­sys­té­mu OIP spo­lu­pra­cu­jí s TSMC na účin­né pod­po­ře ino­va­cí v po­lo­vo­di­čo­vém prů­mys­lu.

TSMC vy­hlá­si­la ví­tě­ze na svém fóru OIP Eco­sys­tem Forum 2023, které sdru­žu­je part­ne­ry v ob­las­ti ná­vr­hu po­lo­vo­di­čů a zá­kaz­ní­ky TSMC a po­sky­tu­je ide­ál­ní plat­for­mu pro dis­ku­si o nej­no­věj­ších tech­no­lo­gi­ích a ná­vr­ho­vých ře­še­ních pro apli­ka­ce HPC, AI/ML, mo­bil­ní, au­to­mo­bi­lo­vé a IoT.

Ansys zís­kal oce­ně­ní v ná­sle­du­jí­cích ka­te­go­ri­ích:

• Oce­ně­ní OIP Part­ner roku od TSMC za spo­leč­ný vývoj 2nm a N3P ná­vr­ho­vé in­frastruk­tu­ry je uzná­ním za to, že ře­še­ní An­sy­su pro in­te­gri­tu na­pá­je­ní a spo­leh­li­vost zů­stá­va­jí na špici v ob­las­ti umož­ně­ní kře­mí­ko­vých pro­ce­sů a sig­na­li­za­ce po­kle­su na­pě­tí.
• Oce­ně­ní OIP Part­ner roku za spo­leč­ný vývoj pro­to­ty­po­va­cí­ho ře­še­ní 3D­blox De­sign na­va­zu­je na po­sky­to­vá­ní kom­plex­ní pod­po­ry ze stra­ny Ansys Red­Ha­wk­‑SC, Ansys Red­Ha­wk­‑SC Electro­ther­mal a Ansys Totem pro ja­zy­ko­vý stan­dard 3D­Blox od TSMC pro snad­nou vý­mě­nu dat ná­vr­hu 3D­‑IC.
• Jak oce­ně­ní za spo­lu­prá­ci s part­ne­ry OIP, tak oce­ně­ní za spo­leč­ný vývoj ře­še­ní pro návrh v ob­las­ti mi­li­me­t­ro­vých vln od­rá­ží dvě úrov­ně spo­lu­prá­ce s part­ne­ry OIP na spo­leč­ném vý­vo­ji čtyř re­fe­renč­ních toků pro umož­ně­ní ná­vr­hu v ob­las­ti rá­di­o­vých frek­ven­cí (RF) po­mo­cí sys­té­mů Ansys Rap­torX, Ansys Exal­to, Ansys Ve­lo­ceRF a Ansys Totem pro různé pro­ces­ní tech­no­lo­gie TSMC.

Ansys po­sky­tu­je ši­ro­kou škálu ná­stro­jů pro mul­ti­fy­zi­kál­ní ana­lý­zu, které jsou pro vy­spě­lou vý­ro­bu po­lo­vo­di­čů stále dů­le­ži­těj­ší. Tra­dič­ní signo­ff ana­lý­zy, jako je po­kles na­pě­tí a elek­tro­mi­gra­ce, se na 2nm a 3nm stá­va­jí na­lé­ha­věj­ší­mi, pro­to­že tran­zis­to­ro­vé ar­chi­tek­tu­ry jsou stále slo­ži­těj­ší, kon­strukč­ní ve­li­kos­ti ros­tou a ul­tra­níz­ká na­pá­je­cí na­pě­tí vedou k mi­ze­ní bez­peč­nost­ních re­zerv.